СВЧ-технологии в ортопедической стоматологии | Медицинские интернет-конференции
ID: 2014-05-3930-A-3828
Оригинальная статья (свободная структура)
Деревянкина А.В., Щербакова И.В.
Резюме
В последнее время многие разработки в медицине, в том числе в стоматологии, осуществляются на стыке наук. В связи с этим находят прикладное значение фундаментальные исследования в области физики и химии. Одним из актуальных прикладных аспектов является использование в медицине энергии сверхвысоких частот (СВЧ). Актуальность использования данного вида энергии в стоматологии предопределила цель исследования – изучение возможностей СВЧ-технологий в ортопедической стоматологии. Задачи исследования состоят в определении направлений применения СВЧ-технологий в ортопедической стоматологии.
Ключевые слова
ортопедическая стоматология, энергия СВЧ, обработка эластических пластмасс, инфекционная безопасность
Статья
В последнее время многие разработки в медицине, в том числе в стоматологии, осуществляются на стыке наук.
В связи с этим находят прикладное значение фундаментальные исследования в области физики и химии. Одним из актуальных прикладных аспектов является использование в медицине энергии сверхвысоких частот (СВЧ). В частности, на энергии СВЧ основаны такие технологические процессы, как размораживание, сушка, нагрев и термообработка, термомеханические воздействия, различные химические преобразования [2; 3; 6]. Актуальность использования энергии СВЧ в стоматологии предопределила цель настоящего исследования – изучение возможностей СВЧ-технологий в ортопедической стоматологии. Задачи исследования состоят в определении направлений применения СВЧ-технологий в ортопедической стоматологии.
Анализ научной литературы показал, что важным преимуществом СВЧ-нагрева является тепловая безынерционность, т.е. возможность практически мгновенного включения и выключения теплового воздействия на обрабатываемый материал – отсюда высокая точность регулировки процесса нагрева и его воспроизводимость [5]. Достоинством СВЧ-нагрева является высокий КПД преобразования энергии СВЧ в тепловую энергию в объеме нагреваемых тел.
Таким образом, тепловые потери оказываются небольшими, и стенки волноводов и рабочих камер остаются практически холодными, что создает комфортные условия для обслуживающего персонала [4]. Важно, что СВЧ-нагрев поступает равномерно. Поскольку воздействие поля СВЧ приводит к равномерному выделению тепла именно в обрабатываемом объекте, то на его нагрев затрачивается мало времени [1].
Указанные обстоятельства обусловливают возможности применения энергии СВЧ в ортопедической стоматологии при изготовлении разнообразных твердых и эластичных пластмасс из смеси двух или более жидких компонентов (реакция полимеризации). СВЧ-облучение оказывает каталитическое действие или увеличивает эффективность другого катализатора, ускоряет полимеризацию и улучшает качество продукта. Преимуществами использования СВЧ в данном случае являются:
— быстрое и равномерное по объему повышение температуры;
— возможность программирования работы установок;
— гибкое управление ходом процессов [1; 3].
В стоматологической практике большую актуальность имеют такие материалы, как слепочные термопластические массы и гипс. Известно, что прочность гипсовой модели достигает максимума при высушивании до постоянной массы в течение 24–48 часов. Поскольку стоматологи-ортопеды заинтересованы в сокращении времени работы с гипсовой моделью, были предприняты попытки просушивания гипсовых и огнеупорных моделей в микроволновой печи [3; 4]. Оказалось, что микроволновая обработка позволяет сократить время сушки в несколько десятков раз и, таким образом обеспечить:
— ускорение технологического процесса сушки;
— обеспечить высокое качество получаемого продукта, зачастую недостижимое другими путями.
Ряд экспериментально-лабораторных исследований, проведенных в Московском государственном медико-стоматологическом университете, показал, что при микроволновой обработке эластических пластмасс горячего и холодного отверждения увеличивается их адгезия (сцепление) к жестким акриловым базисам съемных протезов [4]. Микроволновая технология полимеризации акриловых базисных пластмасс обеспечивает улучшение их качества за счет повышения молекулярного веса, уплотнения структуры полимерной сетки, а также уменьшение остаточных напряжений. При СВЧ-обработке гипса улучшаются прочностные характеристики и скорость достижения необходимых параметров. При спекании стоматологической керамики в СВЧ электромагнитном поле возрастает прочность ее сцепления с металлом [5; 6].
Исходя из этого, можно сказать, что СВЧ-технологии изготовления съемных протезов позволяют улучшить структуру и свойства базисных материалов [4; 8]. Немаловажное значение имеет также возможность повышения качества инфекционной безопасности в клинике ортопедической стоматологии путем применения СВЧ-излучения для дезинфекции эластических конструкционных и вспомогательных материалов [7].
В то же время следует отметить, что на сегодняшний день остаются открытыми многие вопросы по процессам, обеспечивающим изменение свойств материалов при СВЧ-нагреве. Исследователи отмечают, что результаты воздействия поля СВЧ на материал зачастую непредсказуем, т.к. зависят от малейшего изменения состава материала [4]. Слабая воспроизводимость результатов является недостатком СВЧ-технологий в современной ортопедической стоматологии и требует проработки.
Литература
1. Леонтович И.А., Козак Р.В. Сравнительная характеристика методов полимеризации базисных пластмасс // Актуальные проблемы современной медицины : Вестник Украинской медицинской стоматологической академии. 2013. Т. 13, № 2 (42).
2. Мальгинов Н.Н. Лабораторно-экспериментальное обоснование применения базисной пластмассы «СтомАкрил» : автореф. дис. … канд. мед. наук. М., 2000.
3. Новикова О.Б. Клинико-экспериментальное обоснование возможности использования СВЧ-излучения для полимеризации пластмасс в стоматологии : автореф. дис. … канд. мед. наук. М., 1997.
4. Пан Е. Ге Р. Обоснование применения СВЧ-технологий в ортопедической стоматологии (экспериментально-лабораторное исследование) : автореф. дис. … д-ра мед. наук. М., 2004.
5. Пан Е. Ге Р. СВЧ-технологии в ортопедической стоматологии // Ортопедическая стоматология. 2004. № 1.
6. Руководство по ортопедической стоматологии : протезирование при полном отсутствии зубов / под ред. И.Ю. Лебеденко, Э.С. Каливраджияна, Т.И. Ибрагимова. М., 2005.
7. Узбеков Р.С. Микроволновая дезинфекция эластичных вспомогательных и конструкционных материалов в клинике ортопедической стоматологии : автореф. дис. … канд. мед. наук. М., 2008.
8. Чикунов С., Оливер Брик. Путь к эстетике. Аспекты реабилитации передних областей зубного ряда цельнокерамическими реставрациями // Зубной техник. 2013. № 4.
Файл
2014-05-3930-A-3828.pdf
Научно-образовательный центр «Инжиниринговый центр СВЧ техники и технологии» — ТГУ.Сотрудники
Другие сайты ТГУ
Войти через ТГУ. Аккаунт
Структура университета
Научно-образовательный центр «Инжиниринговый центр СВЧ техники и технологии»
Исполняющие обязанности:
Не назначены
Руководитель
Нет данных
Дополнительные контакты
Нет данных
Отделы
3
администрация
лаборатория № 1
Региональный центр сквозного проектирования телекоммуникационного оборудования
Сотрудники
30
Башкардина Марина Вениаминовна
Быкова Ольга Васильевна
Васекина Наталья Викторовна
Верховин Вячеслав Викторович
Доценко Владимир Викторович
Доценко Елена Александровна
Евсеев Анатолий Александрович
Кагадей Валерий Алексеевич
Карбышева Вера Владимировна
Карев Евгений Валерьевич
Кауник Сергей Владимирович
Коренчук Андрей Сергеевич
Косолапов Виталий Владимирович
Кривцун Александр
Кулаковская Анна Михайловна
Лебедев Денис Романович
Лизогуб Светлана Степановна
Маклакова Наталия Валерьевна
Мельников Роман Сергеевич
Миллер Андрей Иванович
Пинкольский Павел Мирославович
Подзорова Ирина Викторовна
Полынцев Егор Сергеевич
Проказина Ирина Юрьевна
Соколова Мария Ивановна
Суслов Алексей Геннадьевич
Усков Александр Владимирович
Чернов Сергей Евгеньевич
Шампиева Альбина Тайшиковна
Шехалев Денис Владимирович
О нас – Микроволновые технологии
Наша история
Компания Microwave Technology пользуется растущей репутацией своей линейки продуктов для беспроводной инфраструктуры.
Компания MicroWave Technology, Inc. (MwT), расположенная в Силиконовой долине в Калифорнии, была основана в 1982 году техническими руководителями с большим опытом проектирования и производства устройств на основе арсенида галлия (GaAs). С заводом, занимающим 35 000 квадратных футов, основные активы компании включают в себя как полупроводниковый завод GaAs, так и предприятие по производству гибридных микросхем и проводных микроволновых интегральных схем (HMIC). Вертикальное производство и прочность продукции обеспечивают компании MwT необыкновенную гибкость и возможности на рынке компонентов для микроволновых печей.
Сегодня MwT является ведущим торговым производителем в США дискретных диодов и транзисторов на основе арсенида галлия (FET, pHEMT и диодов Ганна). Ранние работы, направленные на повышение надежности устройств, привели к созданию запатентованных систем металлизации, которые делают устройства MwT невосприимчивыми к загрязнению водородом, что в настоящее время вызывает серьезную озабоченность в отрасли, связанной с высокой надежностью.
В этих устройствах используется запатентованный эпитаксиальный материал и технология утопленного затвора в четверть микрона, что обеспечивает высокую линейность (+48 дБм IP3 в беспроводном усилителе мощностью 1 Вт P-1 дБ) и низкий фазовый шум (-125 дБн при смещении 100 кГц в DRO 17,5 ГГц). ) устройства с выходной мощностью от 10 мВт до 5 Вт. Эти устройства, продаваемые в виде микросхем или в упаковках, находят широкое применение для усиления сигналов от 10 МГц до 40 ГГц при передаче или приеме информации в беспроводных инфраструктурных системах, промышленных радиочастотных приложениях, а также в различной оборонной и космической электронике.
Благодаря низким характеристикам интермодуляционных искажений полевых транзисторов MwT на арсениде галлия, Компания пользуется растущей репутацией своей линейки продуктов небольших модульных передающих и приемных модулей с внутренней согласованностью для поверхностного монтажа, предназначенных для работы с несколькими несущими и/или с цифровой модуляцией ( высокая линейность) беспроводная инфраструктура и военные системы связи. В основном они используются в качестве входных каскадов приемников, а также в качестве драйверов или выходных усилителей пикосот в сотовой связи, базовых станциях PCS и WLL, а также в военной высоконадежной связи. Заслуживающие внимания новые продукты имеют чрезвычайно низкие входные и выходные обратные потери, что упрощает ввод коэффициента усиления в высококритичных каскадах усилителей мощности с высокой линейностью. MwT предлагает свои проверенные высоконадежные возможности обработки тонкопленочных схем как для внутреннего, так и для внешнего использования заказчиками. Используя тонкопленочные гибридные микросхемы, MwT производит и продает различные стандартные модульные усилители до 26 ГГц. Эти модули также являются строительными элементами для MwT при разработке и производстве стандартных, а также нестандартных усилителей с разъемами для оборонных и телекоммуникационных приложений.
Компания MwT имеет многолетний опыт работы со специальными предложениями для клиентов и располагает обширной библиотекой индивидуальных конструкций на основе устройств MwT. MwT использует как стандартные, так и нестандартные версии своих компонентов для производства специализированных усилителей и продуктов на уровне плат. Наш проверенный опыт и послужной список помогут вам сэкономить затраты на проектирование, время и инженерные ресурсы. Примеры включают низкочастотный МШУ, усилитель беспроводной МШУ, встроенные строительные блоки, высокочастотные генераторы, оценочные платы и испытательные приспособления.
Приборы GaAs FET и pHEMT – микроволновая технология
Применение узкополосных и широкополосных высокоэффективных усилителей и генераторов
Номер модели S-параметр
Заменяет Деталь Номер
Упаковки В наличии
Усиление из нержавеющей стали @12 ГГц Тип. дБ
PAE при 12 ГГц %
OIP3 при 12 ГГц Тип. дБм
Psat при 12 ГГц Тип. дБм
Ворота Ширина/Длина мкм
Ворота Компоновка Метод
Ворота Дренажный источник Прокладки
Толщина стружки (мил/ум)
Отверстие VIA д/н
Размер чипа мкм • мкм
MWT-PH9F
MWT-PH9
70, 71, 73
13,0
45
34
28,0
750/0,25
Межцифровой
1,1,2
4,0/100
нет
485•315
МВТ-Ф25Ф
МВТ-Ф25
71
12,0
45
34
28,5
630/0,25
одинарная полоса
4,2,5
4,0/100
нет
785•260
МВТ-Ф39Ф
RFMD FDP750 BeRex BCP080C
70, 71, 73
13,0
48
35
28,5
800/0,25
Межцифровой
1,1,2
4,0/100
нет
450•375
МВТ-Ф40Ф
Н/Д
70, 71, 73
14,0
45
34
28,0
800/0,25
Межцифровой
2,2,3
4,0/100
нет
530•375
Номер модели S-параметр
Заменяет Деталь Номер
Упаковки В наличии
S. S. Gain @18GHz Typ dB
PAE при 18 ГГц %
OIP3 @18 ГГц Тип. дБм
Псат при 18 ГГц Тип. дБм
Ворота Ширина/Длина мкм
Ворота Компоновка Метод
Ворота Дренажный источник Прокладки
Толщина стружки (мил/ум)
Отверстие VIA д/н
Размер чипа мкм • мкм
МВТ-Ф4Ф
Н/Д
70, 71, 73
14,0
50
32
24,0
300/0,25
одинарная полоса
1,1,2
4,0/100
нет
425•260
МВТ-Ф5Ф
MwT-Ph5
70, 71, 73
14,0
45
32
24,0
180/0,25
одинарная полоса
1,1,2
4,0/100
нет
385•260
MwT-PH7F
MWT-PH7
70, 71, 73
15,0
45
30
24,5
250/0,25
одинарная полоса
2,2,2
4,0/100
нет
365•260
МВТ-Ф37Ф
Н/Д
70, 71, 73
16,0
45
31
25,0
400/0,25
Межцифровой
1,1,2
4,0/100
нет
340•360
МВТ-Ф38Ф
Н/Д
70, 71, 73
13,0
45
32
26,5
600/0,25
Межцифровой
1,1,2
4,0/100
нет
340•360
МВТ-Ф43Ф
Н/Д
70, 71, 73
14,0
45
29
24,0
300/0,25
Межцифровой
1,1,2
4,0/100
нет
415•315
Применение узкополосных и широкополосных высокоэффективных усилителей и усилителей высокой мощности
Отличное усиление, мощность и эффективность добавления мощности (PAE), возможность использования в широком диапазоне приложений до 26 ГГц
Превосходная надежность со значениями среднего времени наработки на отказ лучше, чем 1X10 8 часов при температуре канала 150°C.
Идеально подходит для коммерческого, военного и космического применения.
Номер модели S-параметр
Заменяет Деталь Номер
Упаковки В наличии
Усиление из нержавеющей стали @12 ГГц Тип. дБ
PAE при 12 ГГц %
ОИП3 при 12 ГГц Тип. дБм
Psat при 12 ГГц Тип. дБм
Ворота Ширина/Длина мкм
Ворота Компоновка Метод
Ворота Дренажный источник Прокладки
Толщина стружки (мил/ум)
Отверстие VIA д/н
Размер чипа мкм • мкм
MwT-PH8F
MWT-PH8
71
11,0
42
37
30,0
1200/0,25
Межцифровой
2,2,3
4,0/100
нет
670•315
МВТ-Ф21Ф
МВТ-Ф21
71
12,0
45
40
33,0
2400/0,25
Межцифровой
2,2,3
4,0/100
нет
780•345
МВТ-Ф21ФВ
МВТ-Ф21
71
12,0
45
40
33,0
2400/0,25
Межцифровой
2,2,3
4,0/100
да
780•345
МВТ-Ф41Ф
Н/Д
71
13,0
35
30,0
1200/0,25
Межцифровой
2,2,3
4,0/100
нет
530•375
МВТ-Ф42Ф
Н/Д
71
13,0
43
37
30,5
1600/0,25
Межцифровой
2,2,3
4,0/100
нет
530•376
Применение узкополосных и широкополосных линейных усилителей и генераторов
Превосходная надежность со значениями MTBF лучше, чем 1X10 8 часов при температуре канала 150°C.
Идеально подходит для коммерческого, военного и космического применения.
Номер модели S-параметр
Заменяет Деталь Номер
Доступные пакеты
Усиление SS при частоте 12 ГГц, тип. дБ
Н.Ф. @ 12 ГГц, тип. дБ
Ga @ N.F @ 12 ГГц, тип. дБ
П-1дБ при частоте 12 ГГц тип. дБм
PAE при частоте 12 ГГц, тип. дБм
OIP3 при частоте 12 ГГц, тип. дБм
Псат @ 12 ГГц Тип. дБм
Ширина/длина ворот мкм
Метод компоновки ворот
Прокладки источника стока ворот
Толщина стружки (мил/ум)
Отверстие VIA, арт.
Размер чипа мкм • мкм
МВТ-1Ф
МВТ-1
70,71,73
10,0
2,0
7,0
26,0
35
37
27,0
630/0,25
одинарная полоса
1,1,2
4,0/100
нет
775•260
МВТ-3Ф
МВТ-3
70,71,73
12,0
—
—
22,0
35
32
23,0
300/0,25
одинарная полоса
1,1,2
4,0/100
нет
415•260
МВТ-5Ф
МВТ-5
71
19,0
3,5
11,0
21,0
35
—
22,0
300•2/0,25
двойные ворота
3,1,2
4,0/100
нет
415•260
МВТ-7Ф
MwT-7 MwT-S7 MwT-LP7
70,71,73
15,0
2,0
8,0
21,0
35
32
22,0
250/0,25
одинарная полоса
2,2,2
4,0/100
нет
365•250
МВТ-9Ф
МВТ-9 МВТ-А9
70,71,73
11,0
—
—
26,5
35
35
27,0
750/0,25
Межцифровой
1,1,2
4,0/100
нет
485•315
Мощные усилители и генераторы
Превосходная надежность со значениями MTBF лучше, чем 1X10 8 часов при температуре канала 150°C.
Идеально подходит для коммерческого, военного и космического применения.
Номер модели S-параметр
Заменяет Деталь Номер
Доступные пакеты
Усиление S.S. при частоте 8 ГГц, тип. дБ
Н.Ф. @8 ГГц, тип. дБ
Ga @ N.F @8GHz Тип. дБ
П-1дБ при 8ГГц тип.дБм
PAE при частоте 8 ГГц, тип. дБм
OIP3 при 8 ГГц Тип. дБм
Psat @8GHz Тип. дБм
Ширина/длина ворот мкм
Метод компоновки ворот
Прокладки источника стока ворот
Толщина стружки (мил/ум)
Отверстие VIA, арт.
Размер чипа мкм • мкм
МВТ-11Ф
МВТ-11 МВТ-17
71
9,0
—
—
32,0
40
42(1)
32,5
2400/0,25
Межцифровой
2, 2, 3
4,0/100
нет
780•345
Номер модели
Упаковка Доступен Герметичный / Герметичный
Ширина/длина ворот мкм
Метод компоновки ворот
Прокладки для склеивания источника стока ворот Кол-во
Толщина стружки и отверстие VIA мил, д/н
Усиление S. S. при частоте 12 ГГц тип./макс. дБ
Н.Ф. @12Ghz тип./макс. дБ
Ga @ N.F @ 12 ГГц тип./мин. дБ
П-1дБ при частоте 12 ГГц тип. дБм
IP3 при частоте 12 ГГц, тип. дБм
Номинальный размер чипа мкм — мкм
Идеальная схема
МВТ-1789
сот89
2400/0,8
Межцифровой
4, 4, 5
4, №
—
(3)
18,0(1)
28
44
1130 • 279
Усилитель мощности
MwT-1789SB
сот89
2400/0,8
Межцифровой
4, 4, 5
4, №
—
(3)
18,0(1)
28
44
1130 • 279
Усилитель мощности
(1) Испытано при Po=25 дБм/тон
Ниже приведены устройства pHEMT (псевдоморфный транзистор с высокой подвижностью электронов) с гетеропереходом AlGaAs/InGaAs, которые лучше всего подходят для приложений мощности и усиления миллиметрового диапазона.
Номер модели S-параметр
Доступные пакеты
Ширина/длина ворот мкм
Метод компоновки ворот
Прокладки источника дренажа Gate
Толщина стружки и отверстие VIA мил, артикул
Усиление S.S. при частоте 12 ГГц тип./мин. дБ
Н.Ф. @12Ghz тип./макс. дБ
Ga @ N.F @ 12 ГГц тип./мин. дБ
P-1dB при 12 ГГц тип./мин. дБм
IP3 при частоте 12 ГГц, тип. дБм
Размер чипа мкм • мкм
Идеальная схема
MwT-Ph5
70, 71, 73
180/0,3
одинарная полоса
1, 1, 2
5, №
11,0/10,0
1,2
13,0/12,0
20,0/18,0
356 • 241
Генератор и усилитель
MwT-PH5
300/0,3
одинарная полоса
1, 1, 2
4, №
18,0/15,0
2,0/-
12,0/ —
20,0/18,0
406 • 241
Усилитель мощности
MwT-PH8
71
1200/0,3
Межцифровой
2, 2, 3
4, №
10,0/9,0
30,0/29,0
673 • 305
Средняя мощность
MwT-PH9
70, 71, 73
750/0,3
Межцифровой
1, 1, 2
4, №
10,0/9. 0
27,0/26,0
419 • 292
Усилитель мощности
MwT-Ph21
71
2400/0,3
Межцифровой
2, 2, 3
4, №
9,0/7,0
32,0/30,0
42
775 • 343
Усилитель мощности
МВТ-Ф26
71
900/0,3
одинарная полоса
6, 2, 7
4, №
11,5/10,0
30,0/28,5
1067 • 241
Средняя мощность
МВТ-Ф26А
1600/0,25
Межцифровой
4, 4, 5
4, №
11,0/9,5
31,0 / 29,0
1126 • 330
Средняя мощность
Мощные приложения с высокой линейностью
Идеально подходит для коммерческого, военного и космического применения.
Модель S-параметр
Доступная упаковка Запечатанная/герметичная
Ширина/длина ворот мкм
Метод компоновки ворот
Прокладки для склеивания источника стока ворот Кол-во
Толщина стружки и отверстие VIA мил, артикул
Усиление S.S. при частоте 12 ГГц тип./мин. дБ
Н.Ф. @12Ghz тип./макс. дБ
Ga @ N.F> @12GHz тип./мин. дБм
P-1dB при 12 ГГц тип./мин. дБм
IP3 при частоте 12 ГГц, тип. дБм
Номинальный размер стружки мкм • мкм
Идеальная схема
MwT-11
71
2400/0,3
Межцифровой
2, 2, 3
4, №
9,0/7,0
30,0/28,0
775 • 343
Усилитель мощности
MwT-17Q3
QFN
2400/0,8
Межцифровой
4, 4, 5
4, №
18,0/16,0(1)
1,5(1)
28,0/27,0
46
1130 • 279
Усилитель мощности
Широкополосный, низкий уровень шума
Рекомендуется для многооктавных приложений, где основным параметром является низкий коэффициент шума. MwT-A9 был разработан для приложений, где ключевыми характеристиками являются высокий коэффициент усиления и низкий коэффициент шума.
Модель S-параметр
Доступная упаковка Запечатанная/герметичная
Ширина/длина ворот мкм
Метод компоновки ворот
Прокладки для склеивания источника стока ворот Кол-во
Толщина стружки и отверстие VIA мил, д/н
Усиление S.S. при частоте 12 ГГц тип./мин. дБ
Н.Ф. @12Ghz тип./макс. дБ
Ga @ N.F @ 12 ГГц тип./мин. дБ
P-1dB при 12 ГГц тип./мин. дБм
IP3 при частоте 12 ГГц, тип. дБм
Номинальный размер стружки мкм • мкм
Идеальная схема
МВТ-4
70, 73 / NA
180/0,3
одинарная полоса
1, 1, 2
5, №
9. 0 / 8,0
1,5/1,8
9,0/8,0
14,0/13,0
356 • 241
Генератор и усилитель
МВТ-7 Модельная модель Нелинейная модель
70, 73 / NA
250/0,3
одинарная полоса
2, 2, 2
5, №
10,5 / 10,0
2,0/-
8.0 / —
20,0/18,0
356 • 241
Усилитель BA/SE
MwT-LP7
70, 73 / NA
250/0,3
одинарная полоса
2, 2, 2
5, №
10,5 / 10,0
2,0/-
8.0 / —
20,0/18,0
356 • 241
Осциллятор
МВТ-9/А9
84, 70, 73/71
750/0,3
одинарная полоса
1, 1, 2
5, №
9,5/8,5
1,8/-
6,5/6,0
25,5/23,0
419 • 292
Усилитель FB
MwT-A989
СОТ89
750/0,5
Межцифровой
1, 1, 2
4, №
17,0/15,0(1)
0,9 (1)
25,0/23,0
40
419 • 292
Усилитель мощности
MwT-A989SB
СОТ89
750/0,5
Межцифровой
1, 1, 2
4, №
17,0/15,0(1)
0,9(1)
25,0/23,0
40
419 • 292
Усилитель мощности
Широкополосный, с высоким коэффициентом усиления
Рекомендуется для многооктавных приложений, где основным параметром является максимальное усиление.
Модель S-параметр
Доступная упаковка Запечатанная/герметичная
Ширина/длина ворот мкм
Метод компоновки ворот
Прокладки для склеивания источника стока ворот Кол-во
Толщина стружки и отверстие VIA мил, артикул
Усиление S.S. при частоте 12 ГГц тип./мин. дБ
Н.Ф. @12Ghz тип./макс. дБ
Ga @ N.F @ 12 ГГц тип./мин. дБ
P-1dB при 12 ГГц тип./мин. дБм
IP3 @ 12 ГГц, тип. дБм
Номинальный размер стружки мкм • мкм
Идеальная схема
МВТ-1
70, 73/71
630/0,3
одинарная полоса
1, 1, 2
5, №
10,0/9,0
2,0/-
7,0 / —
24,0 / 23,0
775 • 241
Усилитель FB
МВТ-3
70, 73/71
300/0,3
одинарная полоса
1, 1, 2
5, №
11,0/10,0
— / —
— / —
21,0 / 20,0
406 • 241
БА-усилитель
МВТ-5
нет данных / нет данных
2•300/0,3
двойные ворота
3, 1, 2
5, №
13,0/12,0
3,5 / —
11,0/-
19,0/15,0
406 • 241
Буферный усилитель
МВТ-7 Модельная модель Нелинейная модель
70, 73 / NA
250/0,3
одинарная полоса
2, 2, 2
5, №
10,5 / 10,0
2,0/-
8. 0 / —
20,0/18,0
356 • 241
Усилитель BA/SE
Широкополосный, средней мощности
Следующие устройства рекомендуются для многооктавных приложений, где оптимальная выходная мощность является движущим параметром.
Модель S-параметр
Доступная упаковка Запечатанная/герметичная
Ширина/длина ворот мкм
Метод компоновки ворот
Прокладки для склеивания источника стока ворот, 9 шт.0032
Толщина стружки и отверстие VIA мил, артикул
Усиление S.S. при частоте 12 ГГц тип./мин. дБ
Н.Ф. @12Ghz тип./макс. дБ
Ga @ N.F @ 12 ГГц тип./мин. дБ
P-1dB при 12 ГГц тип./мин. дБм
IP3 при частоте 12 ГГц, тип. дБм
Номинальный размер стружки мкм • мкм
Идеальная схема
МВТ-1
70, 73/71
630/0,3
одинарная полоса
1, 1, 2
5, №
10,0/9,0
2,0/-
7,0 / —
24,0 / 23,0
775 • 241
Усилитель FB
МВТ-2
70, 73/71
630/0,3
одинарная полоса
2, 2, 3
5, №
8,5/8,0
— / —
— / —
24,5/23,0
775 • 241
БА-усилитель
МВТ-3
70, 73/71
300/0,3
одинарная полоса
1, 1, 2
5, №
11,0/10,0
— / —
— / —
21,0 / 20,0
406 • 241
БА-усилитель
МВТ-7 Модельная модель Нелинейная модель
70, 73 / нет данных
250/0,3
одинарная полоса
2, 2, 2
5, №
10,5 / 10,0
2,0/-
8. 0 / —
20,0/18,0
356 • 241
Усилитель BA/SE
МВТ-17
89 / 71
2400/0,8
Межцифровой
4, 4, 5
5, №
7,0/6,0
(2)
29,5/28,5
45/-
1130 • 279
Усилитель BA/FB
МВТ-1789
СОТ89
2400/0,8
Межцифровой
4, 4, 5
4, №
(4)
16,0(1)
28
46
1130 • 279
Низкий уровень шума
MwT-1789SB
СОТ89
2400/0,8
Межцифровой
4, 4, 5
4, №
(3)
18,0(1)
28
44
1130 • 279
Усилитель мощности
Узкополосные силовые приложения
Рекомендуется для узкополосных приложений, где главными параметрами являются максимальная выходная мощность и коэффициент усиления. Эти устройства могут быть смещены на 5 вольт для приложений беспроводной связи.
Модель S-параметр
Доступная упаковка Запечатанная/герметичная
Ширина/длина ворот мкм
Метод компоновки ворот
Прокладки для склеивания источника стока ворот Кол-во
Толщина стружки и отверстие VIA мил, артикул
Усиление S.S. при частоте 12 ГГц тип./мин. дБ
Н.Ф. @12ГГц тип./макс. дБ
Ga @ NF @12GHz тип./мин. дБ
P-1дБ при 12 ГГц тип. дБм
IP3 при частоте 12 ГГц, тип. дБм
Номинальный размер чипа мкм — мкм
Идеальная схема
МВТ-2
70, 73/71
630/0,3
одинарная полоса
2, 2, 3
5, №
8,5/8,0
— / —
— / —
24,5/23,0
775 • 241
БА-усилитель
МВТ-3
70, 73/71
300/0,3
одинарная полоса
1, 1, 2
5, №
11,0/10,0
— / —
— / —
21,0 / 20,0
406 • 241
БА-усилитель
МВТ-8
71
2400/0,3
Межцифровой
2, 2, 3
4, №
7,5/7,0
28,0/27,0
673 • 305
Усилитель мощности
МВТ-17
89 / 71
2400/0,8
Межцифровой
4, 4, 5
5, №
7,0/6,0
(2)
29,5/28,5
45 / —
1130 • 279
BA/FB усилитель
Узкополосные приложения с низким уровнем шума
Рекомендуется для узкополосных приложений, где главными параметрами являются низкий уровень шума и коэффициент усиления. Эти устройства могут быть смещены на 5 вольт для приложений беспроводной связи.
Модель S-параметр
Пакет
Ширина/длина ворот мкм
Метод компоновки ворот
Прокладки для склеивания источника стока ворот Кол-во
Толщина стружки и отверстие VIA мил, д/н
Усиление S.S. при частоте 12 ГГц тип./макс. дБ
Н.Ф. @12Ghz тип./макс. дБ
Ga @ N.F @ 12 ГГц тип./мин. дБ
П-1дБ при частоте 12 ГГц тип. дБм
IP3 при частоте 12 ГГц, тип. дБм
Номинальный размер чипа мкм — мкм
Идеальная схема
МВТ-1
70, 73/71
630/0,3
одинарная полоса
1, 1, 2
5, №
10,0/9.0
2,0/-
7,0 / —
24,0 / 23,0
775 • 241
Усилитель FB
МВТ-4
70, 73 / NA
180/0,3
одинарная полоса
1, 1, 2
5, №
9,0/8,0
1,5/1,8
9,0/8,0
14,0/13,0
356 • 241
Генератор и усилитель
МВТ-9/А9
84, 70, 73/71
750/0,3
одинарная полоса
1, 1, 2
5, №
9,5/8,5
1,8/-
6,5/6,0
25,5/23,0
419 • 292
Усилитель FB
MwT-A989
СОТ89
750/0,5
Межцифровой
1, 1, 2
4, №
17,0/15,0 (1)
0,9 (1)
25,0/23,0
40
419 • 292
Усилитель мощности
MwT-A989SB
СОТ89
750/0,5
Межцифровой
1, 1, 2
4, №
17,0/15,0мм(1)
0,9 (1)
25,0/23,0
40
419 • 292
Усилитель мощности
SB = автосмещение (1) при 2,0 ГГц, (2) коэффициент шума = 0,8 дБ при 0,9 ГГц, (3) коэффициент шума = 3,0 дБ при 2,0 ГГц, (4) коэффициент шума = 1,3 дБ при 2,0 ГГц, (5) при 4,0 ГГц
Микроволновая технология полимеризации акриловых базисных пластмасс обеспечивает улучшение их качества за счет повышения молекулярного веса, уплотнения структуры полимерной сетки, а также уменьшение остаточных напряжений. При СВЧ-обработке гипса улучшаются прочностные характеристики и скорость достижения необходимых параметров. При спекании стоматологической керамики в СВЧ электромагнитном поле возрастает прочность ее сцепления с металлом [5; 6].
Исследователи отмечают, что результаты воздействия поля СВЧ на материал зачастую непредсказуем, т.к. зависят от малейшего изменения состава материала [4]. Слабая воспроизводимость результатов является недостатком СВЧ-технологий в современной ортопедической стоматологии и требует проработки.
дис. … д-ра мед. наук. М., 2004.
Аккаунт
Аккаунт
В основном они используются в качестве входных каскадов приемников, а также в качестве драйверов или выходных усилителей пикосот в сотовой связи, базовых станциях PCS и WLL, а также в военной высоконадежной связи. Заслуживающие внимания новые продукты имеют чрезвычайно низкие входные и выходные обратные потери, что упрощает ввод коэффициента усиления в высококритичных каскадах усилителей мощности с высокой линейностью. MwT предлагает свои проверенные высоконадежные возможности обработки тонкопленочных схем как для внутреннего, так и для внешнего использования заказчиками. Используя тонкопленочные гибридные микросхемы, MwT производит и продает различные стандартные модульные усилители до 26 ГГц. Эти модули также являются строительными элементами для MwT при разработке и производстве стандартных, а также нестандартных усилителей с разъемами для оборонных и телекоммуникационных приложений.
MwT использует как стандартные, так и нестандартные версии своих компонентов для производства специализированных усилителей и продуктов на уровне плат. Наш проверенный опыт и послужной список помогут вам сэкономить затраты на проектирование, время и инженерные ресурсы. Примеры включают низкочастотный МШУ, усилитель беспроводной МШУ, встроенные строительные блоки, высокочастотные генераторы, оценочные платы и испытательные приспособления.
дБм
S. Gain 
S. при частоте 12 ГГц тип./макс. дБ
0
0 / 8,0
0 / —
0 / —
Эти устройства могут быть смещены на 5 вольт для приложений беспроводной связи.
Эти устройства могут быть смещены на 5 вольт для приложений беспроводной связи.